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原子层沉积(ALD)系统用于氧化物和金属薄膜沉积
文章出处:互联网
责任编辑:东莞艾德新材料科技有限公司
发表时间:2022-04-27
原子层沉积系统
具有热ALD沉积氧化物、氮化物、贵金属等薄膜材料的功能;具有等离子体增强ALD和未来负荷锁定装置扩展的功能。反应室壁的加热温度不应低于300℃;该反应室可适应8英寸及以下平面基板上薄膜材料的沉积,对基板形状无严格要求,基板加热温度可达500℃。
原子层沉积(ALD)是一种沉积原子薄膜的技术,它以连续脉冲方式在样品表面和反应前驱体材料之间发生化学反应。与传统的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术相比,沉积速率相对较慢,但可以在高深宽比的沟槽和通孔上沉积均匀的薄膜。此外,在原子层沉积过程中,样品表面没有物理和电损伤,但由于过程中的离子轰击,这种损伤是不可避免的。此外,各种薄膜(氧化物、氟化物、氮化物、金属等。)可以通过使用不同的反应材料来沉积。
由于原子层沉积技术的表面反应是自限制的,重复这种自限制可以制备出厚度准确的材料,具有良好的台阶覆盖率和大面积厚度均匀性。连续生长使纳米薄膜材料无针孔,密度高。由于表面饱和化学吸附和自限制反应机理,ALD具有以下优点:
1.通过控制循环次数,可以准确控制膜厚。
2.由于表面饱和机制,不需要控制前驱体流动的均匀性。
3.原子层沉积系统可以生产出均匀性高的薄膜。
4.高纵横比的突出阶梯覆盖率。
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