原子层沉积设备的功能

原子层沉积设备是一种用于力学、物理学、材料科学领域的仪器，于2012年06月01日启用。

热ALD沉积Al2O3薄膜厚度均匀性：衬底：4英寸硅片；测试方法：9点；指标：Al2O3：300°C,500次循环，厚度 TMA+H2O； 原子层沉积（ALD）的自限制性和互补性致使该技术对薄膜的成份和厚度具有出色的控制能力；所制备的薄膜保形性好、纯度高且均匀。

功能：沉积参数（厚度，成份和结构）高度可控，优异的沉积均匀性和一致性。

应用范围：

（1）半导体领域（晶体管栅极电介质层（高k材料），光电元件的涂层，集成电路中的互连种子层，DRAM和MRAM中的电介质层，集成电路中嵌入电容器的电介质层。

（2）纳米技术领域（中空纳米管，隧道势垒层，光电电池性能的提高，纳米孔道尺寸的控制，高高宽比纳米图形，纳米晶体，纳米结构，中空纳米碗，存储硅量子点涂层，纳米颗粒的涂层，纳米孔内部的涂层，纳米线的涂层）。

（3）可沉积材料类型，金属氧化物ZnO，TiO2， Al2O3，SnO2，金属Pt， Ir等。