原子层沉积(ALD)系统用于氧化物和金属薄膜沉积

原子层沉积（ALD）是一种沉积原子级薄膜的技术，它是以一种连续脉冲的方式在样品表面和反应前驱体材料之间发生化学反应。与传统的等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术相比，沉积速率相对较慢，但是它可在高深宽比的沟槽和通孔结构上沉积均匀薄膜。另外，在原子层沉积过程中，样品表面上没有物理和电学损伤，而在PECVD过程中由于离子轰击这种损伤却不可避免。此外，通过使用不同的反应材料可沉积各种薄膜（氧化物，氟化物，氮化物，金属等）。

由于原子层沉积技术的表面反应具有自限制性，不断重复这种自限性可以制备出所需精确厚度的材料，并且具有很好的台阶覆盖率及大面积厚度均匀性，连续生长使得纳米薄膜材料无针孔，密度高。ALD由于表面饱和化学性吸附及自我限制的反应机制，使得ALD拥有下列优点：

1、透过循环数的控制，可以精确地控制薄膜的厚度。

2、由于表面饱和的机制，因此不需要控制前驱物流量的均一性。

3、可生成高圴匀性薄膜。

4、杰出的高深宽比的阶梯覆盖能力。