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让工业没有难做的涂层

4ALD 设备(工作原理)
工作原理

原子层沉积技术是将要参与反应的前驱物藉由不同的前驱物导管,如图1所示,一次只通入一种前驱物的方式,依序地将前驱物导引至反应腔体。并藉由基材表面饱和化学吸附,一次只吸附一层前驱物,过多的前驱物及副产物将由钝气Ar或N2冲洗(purge)带走,以达自我限制。如图1所示,一个基本的原子层沉积循环包括四个步骤:

1.第一前驱物将被导引至基材表面,化学吸附的过程直至表面饱和时就自动终止。

2.钝气Ar或N2及副产物。注入,冲洗带走过多的第一前驱物

3.第二前驱物注入,并和化学吸附于基材表面的第一前驱物反应生成所需薄膜,反应的过程直至吸附于基材表面的第一前驱物反应完成为止。注入,冲洗带走过多的第二前驱物

4.钝气Ar或N2及副产物。

这种反应过程:第一前驱物注入、冲洗、第二前驱物注入、冲洗,称之为一个循环(cycle)。而一个循环所需的时间即是第一、二前驱物的注入时间加上两个冲洗时间的总和。因此整个反应的时间便是循环数乘以一个循环的时间。

原子层沉积(ALD)之优点

原子层沉积技术优势如图2所示,由于原子层沉积技术的表面反应具有自限制性,不断重复这种自限性可以制备出所需精确厚度的材料,并且具有很好的台阶覆盖率及大面积厚度均匀性,连续生长使得纳米薄膜材料无针孔,密度高。 原子层沉积(ALD)由于表面饱和化学性吸附及自我限制的反应机制,使得原子层沉积(ALD)拥有下列优点:

1.透过循环数的控制,可以精确地控制薄膜的厚度(图3)。

2.由于表面饱和的机制,因此不需要控制前驱物流量的均一性。

3.可生成高圴匀性薄膜(图3)。

4.杰出的高深宽比的阶梯覆盖能力(图4)。

  • 图1ALD工作源理
    图1ALD工作源理
  • 图2原子层沉积技术优势
    图2原子层沉积技术优势
  • 图3匀性薄膜
    图3匀性薄膜
  • 图4高深宽比
    图4高深宽比
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