对原子层沉积的分析

从原理上说，ALD是通过化学反应得到生成物，但在沉积反应原理、沉积反应条件的要求和沉积层的质bai量上都与传统的CVD不同，在传统CVD工艺过程中，化学蒸汽不断通入真空室内，因此该沉积过程是连续的，沉积薄膜的厚度和温度、压力、气体流量以及流动的均匀性、时间等多种因素有关；在ALD工艺过程中，则是将不同的反应前驱物以气体脉冲的形式交替送入反应室中，因此并非一个连续的工艺过程。

相对于传统的沉积工艺而言，ALD在膜层的均匀性、阶梯覆盖率以及厚度控制等方面都具有明显的优势。

在某些应用中，需要在具有很大长径比的内腔表面镀膜，极限的情况下长径比会达到15甚至20，采用传统的镀膜方法是无法实现的，而原子层沉积技术由于是通过在基底表面形成吸附层，进一步通过反应生成薄膜，因而在这方面具有独特的优势，可以在大长径比的内腔表面形成厚度均匀的薄膜。工作原理图近年来，对于X射线谱段光学薄膜的需求和研究也日益增加。

由于材料的光学常数和性能在X射线区随波长的变化非常显著，同时，在X射线多层膜制备过程中，对基底表面粗糙度要求很高，膜层也很薄，难于控制，这些问题目前在光学薄膜的研究中，仍然是研究的难点。

由于ALD技术是通过反应前驱物在表面形成化学吸附后，反应生成薄膜，其主要特点是适合沉积厚度很薄的薄膜，而且成膜质量很好，在X射线光学薄膜器件制备方面具有绝对优势。光子晶体是20世纪80年代末提出的新概念和新材料，由于存在光子禁带和光子局域而具有很广泛的应用前景。

由于光子晶体是一种人造微结构，自然界里只存在有限几种，因此，光子晶体的制作技术，一直是研究的热点。原子层沉积技术由于可以精确控制膜层，所获得的高度均匀的表面对光子禁带特性有很大影响，为获得高性能光子晶体结构提供了一条灵活有效的途径。