许多参与
原子层沉积（ALD）的人都知道选择性原子层沉积是当今的一个热门话题。各种各样的论文、研讨会和博客文章层出不穷，详细解释了可以实现选择性增长的各种新方法。从某种意义上讲，选择性ALD使用一种长期困扰ALD使用者的效应，即由于ALD的化学反应特性，薄膜生长的成核依赖于衬底表面。一般来说，ALD领域的人们一直在研究如何将这种影响最小化。例如，等离子体ALD通常具有可忽略的延迟，但对于选择性ALD，成核延迟被放大。
所以问题是，人们会选择哪种ALD设备来研究选择性ALD？我相信我们系统中的一些功能是有用的，例如：
◆可使用各种化学前体。气箱可容纳多种气体，并通过MFC控制流量
◆可使用抑制剂分子（如前体注射过程中的NH3或CO）
◆使用氢基团作为抑制剂：在注入前体之前，使用氢等离子体（或其他等离子体）抑制特定表面的生长
◆氟化物等离子体：使用CFX或F作为抑制剂，在前体注入前，或在进行选择性ALD生长时，即每隔几个生长周期步骤在同一腔体中进行蚀刻（注意O2等离子体可以刻蚀Ru，H2等离子体可以刻蚀ZnO）。
◆注射自组装单层膜（SAMS）抑制生长
◆多腔集成系统，如与电感耦合等离子体化学气相沉积（ICP-CVD）室（生长非晶硅）、溅射（溅射）室或原子层蚀刻（ALE）室相结合
◆用于原始表面改性或蚀刻的基底偏压
设备可实现出色的控制效果包括：
◆通过MFC、快速ALD阀和快速自动压力控制，可获得精确可调的前驱体/气体注入，实现一侧成核，另一侧不成核的现象。
◆采用预真空室和涡轮增压分子泵保持系统的高真空，使抑制现象长期不受影响。
◆用等离子清洗腔体，恢复腔体气氛。
◆具有实时诊断功能的生长监测设备：椭圆偏振测量、质谱和发射光谱
基于选择性ALD方法与蚀刻相结合，再一次让我想起原子尺度处理的问题，这是我在之前的一篇博文中讨论过的。可以想象，通过结合选择性ALD和其他工艺，可以生长出新的超材料（特殊材料）和独特的结构。例如，通过在选择性暴露的铜中生长石墨烯，或通过周期性地蚀刻同一沉积平面（例如，局部选择性ALD），材料只能有效地生长在结构的侧面。因此，无论是普通的等离子刻蚀机还是具有衬底偏压特性的FlexAL，结合引导离子曝光都可能是一种优势。总的来说，我期待着令人惊讶的新发现、新结构和新材料能够以可控的方式诞生。
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