原子层沉积是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。
原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。但在原子层沉积过程中,新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的,这种方式使每次反应只沉积一层原子。
随着纳米技术和半导体微电子技术的发展,器件和材料的尺寸不断缩小,且器件结构中的宽深比不断增加,因此所使用材料的厚度也降低至几到十几纳米。
在此过程中,原子层沉积技术逐渐成为相关制造领域不可替代的关键技术之一。
它是一种原子尺度的薄膜制备技术,可以沉积均匀一致、厚度可控、成分可调的超薄保型薄膜,在半导体、纳米技术、生物医药等领域有巨大的应用前景。
然而,由于我国缺少相关关键技术,目前ALD量产技术都被国外的设备大厂如ASMI、AMAT、TEL等垄断,国内量产型ALD设备制造企业几乎空白。
相较于其他国内外品牌产品,它具备沉积速度快(ALD单循环时间小于3秒)、反应源耗量小、沉积模式种类多等技术优点。