ALD是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。
ALD公司根据前驱体的选择，ALD工艺能够生成电介质（绝缘）和金属（导电）膜，ALD拥有众多优点，因此它被应用到多个领域，我们在这里做如下扼要介绍。
ALD在自对准图形技术中起到关键作用，能比当前的光刻技术形成更小的图形。在这种技术中，薄间隔物被沉积在预先定义的特征上。这层间隔膜必须高度保形并且非常均匀，因为它将限定最终图形的关键尺寸。
3D NAND存储器件的3D结构需要高度的工艺变异性控制，因此ALD非常合适用于在存储器孔的侧壁上形成介电膜。金属ALD也被用来替代栅格方案中的字线填充，这需要横向沉积，以完全填充狭窄的水平特征
自限制性和序贯反应给ALD带来了众多优点。首先，虽然每次反应发生的沉积不完全是单个原子层，但膜厚度可被良好控制，并在晶圆上实现出色的均匀性。
更重要的是，ALD可以制造出与晶圆形状高度吻合的薄膜层，而且器件图形顶部、侧面和底部沉积的膜厚度都是相同的。这种极好的保形性是形成高纵横比和3D结构的关键。
最后，ALD产生的膜表面由易控制的化学成份组成，可达到原子级的光滑度。
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