原子层沉积（ALD）作为一种精确控制的薄膜生长工艺，在过去的十几年得到了广泛的发展，尤其是在芯片制造中沉积high-k材料方面的应用。
在ALD工艺中，同时只在反应腔体中通入一个气相反应源，反应源只与衬底表层原子发生反应而实现单层吸附，，并作为新的表层原子与下一个反应源反应，腔体中多余的反应分子、副产物均被惰性气体吹扫干净。
这一反应特性使得化学反应只在衬底表面发生，从而实现了逐层生长的效果，因此ALD在台阶覆盖性、原子级厚度控制、厚度一致性、精确化学计量的元素组成等方面有明显优势。
ALD最为关键的特征便是自限制反应，一个合格的ALD反应，通常有以下几个特征：
（1）生长温度窗口，即一定范围内的生长速率恒定；
（2）脉冲饱和曲线，即当反应源脉冲过量时，生长速率不会随脉冲时间而变化；
（3）线性生长，即沉积厚度跟反应的循环次数呈线性关系。
相比于普通的气相法，将ALD工艺应用在MOF的制备中，可以实现更优的厚度控制能力，以及在复杂表面（比如高深宽比）的沉积。
具体的实现方式均是两步法，首先使用ALD沉积MOF的前驱体——金属氧化物薄膜，然后使其配体气氛中转化为MOF（或ZIF）。
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