原子层沉积技术是将要参与反应的前驱物藉由不同的前驱物导管，如图1所示，一次只通入一种前驱物的方式，依序地将前驱物导引至反应腔体。并藉由基材表面饱和化学吸附，一次只吸附一层前驱物，过多的前驱物及副产物将由钝气Ar或N2冲洗(purge)带走，以达自我限制。一个基本的原子层沉积循环包括四个步骤：

1.第一前驱物将被导引至基材表面，化学吸附的过程直至表面饱和时就自动终止。

2.钝气Ar或N2及副产物。注入，冲洗带走过多的第一前驱物

3.第二前驱物注入，并和化学吸附于基材表面的第一前驱物反应生成所需薄膜，反应的过程直至吸附于基材表面的第一前驱物反应完成为止。注入，冲洗带走过多的第二前驱物

4.钝气Ar或N2及副产物。

这种反应过程：第一前驱物注入、冲洗、第二前驱物注入、冲洗，称之为一个循环(cycle)。而一个循环所需的时间即是第一、二前驱物的注入时间加上两个冲洗时间的总和。因此整个反应的时间便是循环数乘以一个循环的时间。

原子层沉积技术优势，由于原子层沉积技术的表面反应具有自限制性，不断重复这种自限性可以制备出所需精确厚度的材料，并且具有很好的台阶覆盖率及大面积厚度均匀性，连续生长使得纳米薄膜材料无针孔，密度高。 原子层沉积(ALD)由于表面饱和化学性吸附及自我限制的反应机制，使得原子层沉积(ALD)拥有下列优点：

1.透过循环数的控制，可以精确地控制薄膜的厚度(图1)。

2.由于表面饱和的机制，因此不需要控制前驱物流量的均一性(图2)。

3.可生成高圴匀性薄膜(图3)。

4.杰出的高深宽比的阶梯覆盖能力(图4)。

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  图1ALD工作原理
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  图2原子层沉积技术优势
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  图3匀性薄膜
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  图4高深宽比